详细内容
热压法:把铟粉末在高温和高压下压制成型,能够提高靶材的致密度和机械强度,同时有助于减少气孔和其他缺陷。
冷等静压法:利用液压介质在室温下对铟粉末施加均匀压力使其成型,可制造出高密度和均匀性的靶材,但需要后续的烧结处理来提高其机械性能。
集成电路(IC)制造
用途:作为金属互连层或接触电极材料,用于芯片内部的导电线路、晶体管电极等关键部位。
优势:铟的低熔点和高延展性使其易于加工成极薄的薄膜,满足纳米级制程对材料精度的要求。
化合物半导体器件
场景:用于制造铟镓砷(InGaAs)、铟磷(InP)等化合物半导体芯片,广泛应用于 5G 通信基站、雷达、光纤通信等高频电子设备。
作用:提升器件的高频性能和可靠性,是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。
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